富泰科技原厂KST—日本首家设计并加工半导体及光通信用硅晶圆以及膜产品

  摘要：富泰科技原厂-KST公司利用独有的生长工艺，能够制备氧化层厚达20um的SOI（Silicon on Insulator）晶圆。除了常规的SOI晶圆之外，KST还能够准确的通过客户要求制作具有腔体结构的SOI晶圆（Cavity SOI）。

  ICC讯超厚的热氧化层硅片：在平面光波导（AWG）制作过程中，处于最底层的SiO2膜被称之为Undercladding层，它对AWG的工艺良率有至关重要的影响。KST公司生产的超厚热氧化层硅片，由于具有优异的表面洁净措施以及稳定的薄膜质量，占据了全球AWG市场的最大份额。

  薄氧化层硅片：用于设备制造商的蚀刻速率测试和OSAT公司的封装测试等测试领域。

  SOI晶圆：KST公司利用独有的生长工艺，能够制备氧化层厚达20um的SOI（Silicon on Insulator）晶圆。除了常规的SOI晶圆之外，KST还可以按照每个客户要求制作具有腔体结构的SOI晶圆（Cavity SOI），SOI 晶圆利用了 KST 独特的厚热氧化膜技术特点，是具有压力传感器等膜片结构的MEMS设备的最佳选择。

  富泰科技（香港）有限公司正式成立于2005年，专注于先进光电技术应用，为光通信、工业与科研用户更好的提供专业的物料选型、核心器件供应以及系统方案支持。我们的客户群体涵括通信行业系统集成商及国内外光通信器件、模块制造商、光电领域高校、重点实验室等。如今，我们服务的市场覆盖光纤通信、传感、精密光谱、量子信息处理与半导体制造等领域。

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