选用热氧化办法制备的二氧化硅从结构上看是（ ） 的。 （A） 结晶形状（B） 非结晶形状（C） 或许是结晶形状的,也或许对错结晶形状的（D） 以上都不对 多选题 下列物质中是结晶形状二氧化硅的有（ ）。 （A） 硅土（B） 石英（C） 磷石英（D） 玻璃（E） 水晶 判断题 结晶形状二氧化硅是由 Si-O 四面体在空间规矩摆放所构成的。 ( ) 非结晶态二氧化硅的网络疏松,不均匀并且存在孔洞。 ( ) 结晶与非结晶形状二氧化硅的根本差异在于前者的结构具有周期性,而后者则不具有任何周期性。 ( ) 二氧化硅性质 单选题 选用热氧化办法制备的二氧化硅从结构上看是（ ） 的。 （A） 结晶形状（B） 非结晶形状（C...

  选用热氧化办法制备的二氧化硅从结构上看是（ ） 的。 （A） 结晶形状（B） 非结晶形状（C） 或许是结晶形状的,也或许对错结晶形状的（D） 以上都不对 多选题 下列物质中是结晶形状二氧化硅的有（ ）。 （A） 硅土（B） 石英（C） 磷石英（D） 玻璃（E） 水晶 判断题 结晶形状二氧化硅是由 Si-O 四面体在空间规矩摆放所构成的。 ( ) 非结晶态二氧化硅的网络疏松,不均匀并且存在孔洞。 ( ) 结晶与非结晶形状二氧化硅的根本差异在于前者的结构具有周期性,而后者则不具有任何周期性。 ( ) 二氧化硅性质 单选题 选用热氧化办法制备的二氧化硅从结构上看是（ ） 的。 （A） 结晶形状（B） 非结晶形状（C） 或许是结晶形状的,也或许对错结晶形状的（D） 以上都不对 结晶形状和非结晶形状二氧化硅的根本差异在于（ ）。 （A） 前者前者由 Si-O 四面体组成,而后者则不含 Si-O 四面体（B） 前者的结构具有周期性,而后者则不具有任何周期性（C） 前者的密度大,而后者的密度小（D） 前者的氧都是桥联氧,而后者的氧不是桥联氧 二氧化硅薄膜的折射率是表征其（ ） 学性质的重要参数。 （A） 电（B） 磁（C） 光（D） 热 下列几种氧化办法比较,哪种办法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（ ）。 （A） 干氧氧化（B） 湿氧氧化（C） 水汽氧化（D） 与氧化办法无关 判断题 结晶形状二氧化硅是由 Si-O 四面体在空间规矩摆放所构成的。 ( ) 热氧化法制备二氧化硅 单选题 干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应（A） 一个大气压。 （A） 稍高于（B） 大大于（C） 等于（D） 没有要求 干氧氧化法有一些长处,但一起它的缺点有（ ）。 （A） 成长出的二氧化硅中引进许多可动离子（B） 氧化的速度慢（C） 成长的二氧化硅缺点多（D） 成长的二氧化硅薄膜钝化作用差 多选题 干氧氧化法具有以下一系列的长处（ ）。 （A） 成长的二氧化硅薄膜均匀性好（B） 成长的二氧化硅枯燥（C） 成长的二氧化硅结构细密（D） 成长的二氧化硅是很抱负的钝化膜（E） 成长的二氧化硅掩蔽能力强 判断题 水汽氧化法指的是在高温下,硅与高纯水发生的蒸气反响生成二氧化硅。 ( ) 湿氧氧化既有干氧氧化的长处,又有水汽氧化的长处,所以其氧化制备的二氧化硅薄膜的质量最好。 ( ) 湿氧氧化的氧化剂既含有氧,又含有水汽。 ( ) 二氧化硅成长的机制 单选题